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パワーデバイスモデリング

SiC高精度回路シミュレーションモデルの開発

SiC(シリコンカーバイド)に代表されるワイドバンドギャップ半導体は、低環境負荷社会を実現するキーデバイスとして注目されています。これらのデバイスを応用した回路を、短期間で最適に設計するには、回路シミュレーションによる回路動作の検証が不可欠であり、とりわけ素子の振る舞いを正確に再現するデバイスモデルが重要です。本研究では、デバイス物理に則った高精度回路シミュレーションモデルの開発に取り組んでいます。

日経XTECHに掲載された新谷助教の以下の記事もご覧ください。